0 0 0
  8. FDMS8050ET30

Транзисторы с каналом N SMD FDMS8050ET30

 
FDMS8050ET30
 
ONSEMI
Артикул: 600718
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 299А; Idm: 1914А; 180Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
286.03 грн
5+
215.32 грн
13+
203.40 грн
500+
195.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
Power56(1838873)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
299А(1926635)
Опір в стані провідності
0,9мОм(1603194)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
180Вт(1701962)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
285нКл(1739901)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1914А(1926636)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMS8050ET30
ONSEMI
Артикул: 600718
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 299А; Idm: 1914А; 180Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
286.03 грн
5+
215.32 грн
13+
203.40 грн
500+
195.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
Power56
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
299А
Опір в стані провідності
0,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
180Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
285нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1914А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g