0 0 0
  8. FDMS8320LDC

Транзисторы с каналом N SMD FDMS8320LDC

 
FDMS8320LDC
 
ONSEMI
Артикул: 600649
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 192А; Idm: 300А; 125Вт; DFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
284.44 грн
5+
213.73 грн
13+
202.60 грн
500+
194.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN8(1443828)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
192А(1492578)
Опір в стані провідності
1,7мОм(1479605)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
170нКл(1479526)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDMS8320LDC
ONSEMI
Артикул: 600649
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 192А; Idm: 300А; 125Вт; DFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
284.44 грн
5+
213.73 грн
13+
202.60 грн
500+
194.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
192А
Опір в стані провідності
1,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
170нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g