0 0 0
  8. FDMS86163P

Транзистори з каналом P SMD FDMS86163P

 
FDMS86163P
 
ONSEMI
Артикул: 140667
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 104Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
219.85 грн
3+
181.62 грн
8+
139.40 грн
20+
132.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PQFN8(1492449)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-50А(1588832)
Опір в стані провідності
36мОм(1479276)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
59нКл(1479513)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,139 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDMS86163P
ONSEMI
Артикул: 140667
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 104Вт; PQFN8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
219.85 грн
3+
181.62 грн
8+
139.40 грн
20+
132.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PQFN8
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-50А
Опір в стані провідності
36мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
59нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,139 g