0 0 0
  8. FDN306P

Транзистори з каналом P SMD FDN306P

 
FDN306P
 
ONSEMI
Артикул: 140671
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
32.58 грн
10+
25.35 грн
25+
21.30 грн
66+
15.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3095 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-2,6А(1492370)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
17нКл(1479101)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,029 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDN306P
ONSEMI
Артикул: 140671
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
32.58 грн
10+
25.35 грн
25+
21.30 грн
66+
15.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3095 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-2,6А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
17нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,029 g