0 0 0
  8. FDN335N

Транзистори з каналом N SMD FDN335N

 
FDN335N
 
ONSEMI
Артикул: 076065
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,7А; 500мВт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.87 грн
50+
22.55 грн
71+
13.96 грн
193+
13.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 597 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1,7А(1441494)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
5нКл(1609811)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDN335N
ONSEMI
Артикул: 076065
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,7А; 500мВт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.87 грн
50+
22.55 грн
71+
13.96 грн
193+
13.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 597 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1,7А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
5нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g