0 0 0
  8. FDN338P

Транзистори з каналом P SMD FDN338P

 
FDN338P
 
ONSEMI
Артикул: 140674
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
30.52 грн
25+
22.69 грн
64+
15.77 грн
175+
14.91 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-1,6А(1492339)
Опір в стані провідності
0,165Ом(1743044)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
6,2нКл(1479210)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDN338P
ONSEMI
Артикул: 140674
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
30.52 грн
25+
22.69 грн
64+
15.77 грн
175+
14.91 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-1,6А
Опір в стані провідності
0,165Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
6,2нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g