0 0 0
  8. FDN339AN

Транзистори з каналом N SMD FDN339AN

 
FDN339AN
 
ONSEMI
Артикул: 076067
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
38.48 грн
25+
23.02 грн
56+
17.61 грн
153+
16.65 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 5148 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
3А(1441397)
Опір в стані провідності
61мОм(1632974)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDN339AN
ONSEMI
Артикул: 076067
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
38.48 грн
25+
23.02 грн
56+
17.61 грн
153+
16.65 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 5148 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
3А
Опір в стані провідності
61мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
10нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g