0 0 0
  8. FDN352AP

Транзистори з каналом P SMD FDN352AP

 
FDN352AP
 
ONSEMI
Артикул: 140676
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
29.40 грн
84+
12.08 грн
230+
11.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3760 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-1,3А(1636485)
Опір в стані провідності
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
1,9нКл(1479079)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDN352AP
ONSEMI
Артикул: 140676
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
29.40 грн
84+
12.08 грн
230+
11.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3760 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-1,3А
Опір в стані провідності
0,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
1,9нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,023 g