0 0 0
  8. FDN358P

Транзистори з каналом P SMD FDN358P

 
FDN358P
 
ONSEMI
Артикул: 140677
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
29.40 грн
10+
20.18 грн
25+
18.28 грн
66+
15.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1057 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-1,5А(1492280)
Опір в стані провідності
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
5,6нКл(1609796)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDN358P
ONSEMI
Артикул: 140677
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
29.40 грн
10+
20.18 грн
25+
18.28 грн
66+
15.26 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1057 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-1,5А
Опір в стані провідності
0,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
5,6нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g