0 0 0
  8. FDN359AN

Транзистори з каналом N SMD FDN359AN

 
FDN359AN
 
ONSEMI
Артикул: 076069
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
34.26 грн
10+
20.40 грн
25+
18.81 грн
69+
14.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1765 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SuperSOT-3(1603620)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
2,7А(1492297)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
7нКл(1479104)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDN359AN
ONSEMI
Артикул: 076069
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
34.26 грн
10+
20.40 грн
25+
18.81 грн
69+
14.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1765 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SuperSOT-3
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
2,7А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
7нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g