0 0 0
  8. FDP038AN06A0

Транзистори з каналом N THT FDP038AN06A0

 
FDP038AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 390064
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
274.02 грн
3+
246.14 грн
6+
195.95 грн
15+
184.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 72 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
7,8мОм(1479522)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,003 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP038AN06A0
ONSEMI
Артикул: 390064
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
274.02 грн
3+
246.14 грн
6+
195.95 грн
15+
184.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 72 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
7,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,003 g