0 0 0
  8. FDP047AN08A0

Транзистори з каналом N THT FDP047AN08A0

 
FDP047AN08A0
 
ONSEMI
Артикул: 390065
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 310Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
241.36 грн
3+
216.67 грн
6+
170.46 грн
17+
161.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 15 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,945 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP047AN08A0
ONSEMI
Артикул: 390065
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 310Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
241.36 грн
3+
216.67 грн
6+
170.46 грн
17+
161.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 15 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,945 g