0 0 0
  8. FDP047N08-F102

Транзистори з каналом N THT FDP047N08-F102

 
FDP047N08-F102
 
ONSEMI
Артикул: 532728
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 116А; Idm: 656А; 168Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
180.82 грн
3+
163.30 грн
8+
130.64 грн
22+
123.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 24 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
116А(1492365)
Опір в стані провідності
4,7мОм(1479532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
168Вт(1741929)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
152нКл(1743005)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
656А(1880632)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,015 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP047N08-F102
ONSEMI
Артикул: 532728
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 116А; Idm: 656А; 168Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
180.82 грн
3+
163.30 грн
8+
130.64 грн
22+
123.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 24 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
116А
Опір в стані провідності
4,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
168Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
152нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
656А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,015 g