0 0 0
  8. FDP050AN06A0

Транзистори з каналом N THT FDP050AN06A0

 
FDP050AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 078122
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; 245Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
187.40 грн
3+
168.34 грн
8+
131.02 грн
21+
123.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
245Вт(1741925)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,017 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP050AN06A0
ONSEMI
Артикул: 078122
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; 245Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
187.40 грн
3+
168.34 грн
8+
131.02 грн
21+
123.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
245Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
80нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,017 g