0 0 0
  8. FDP083N15A-F102

Транзистори з каналом N THT FDP083N15A-F102

 
FDP083N15A-F102
 
ONSEMI
Артикул: 390066
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 83А; 294Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
334.60 грн
4+
256.90 грн
10+
256.11 грн
11+
242.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
83А(1479452)
Опір в стані провідності
8,3мОм(1599593)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
294Вт(1741922)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,018 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP083N15A-F102
ONSEMI
Артикул: 390066
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 83А; 294Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
334.60 грн
4+
256.90 грн
10+
256.11 грн
11+
242.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
83А
Опір в стані провідності
8,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
294Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,018 g