0 0 0
  8. FDP18N50

Транзистори з каналом N THT FDP18N50

 
FDP18N50
 
ONSEMI
Артикул: 078124
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 10,8А; 235Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
203.40 грн
3+
183.54 грн
7+
144.60 грн
19+
136.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 21 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
10,8А(1604656)
Опір в стані провідності
265мОм(1633323)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
235Вт(1742117)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
60нКл(1479310)
Технологія
UniFET™(1632958)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,045 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP18N50
ONSEMI
Артикул: 078124
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 10,8А; 235Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
203.40 грн
3+
183.54 грн
7+
144.60 грн
19+
136.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 21 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
10,8А
Опір в стані провідності
265мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
235Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
60нКл
Технологія
UniFET™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,045 g