0 0 0
  8. FDP20N50F

Транзистори з каналом N THT FDP20N50F

 
FDP20N50F
 
ONSEMI
Артикул: 532732
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; Idm: 80А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
231.80 грн
3+
207.90 грн
7+
159.31 грн
18+
151.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
12,9А(1633318)
Опір в стані провідності
0,26Ом(1596288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Технологія
UniFET™(1632958) DMOS(1605573)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,065 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP20N50F
ONSEMI
Артикул: 532732
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; Idm: 80А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
231.80 грн
3+
207.90 грн
7+
159.31 грн
18+
151.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
12,9А
Опір в стані провідності
0,26Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65нКл
Технологія
UniFET™
Технологія
DMOS
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,065 g