0 0 0
  8. FDP22N50N

Транзистори з каналом N THT FDP22N50N

 
FDP22N50N
 
ONSEMI
Артикул: 078126
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13,2А; 312,5Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
263.63 грн
6+
192.17 грн
15+
181.84 грн
250+
173.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 46 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
13,2А(1633319)
Опір в стані провідності
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
312,5Вт(1742127)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Технологія
UniFET™(1632958)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,07 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP22N50N
ONSEMI
Артикул: 078126
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13,2А; 312,5Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
263.63 грн
6+
192.17 грн
15+
181.84 грн
250+
173.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 46 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
13,2А
Опір в стані провідності
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
312,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65нКл
Технологія
UniFET™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,07 g