Транзистори з каналом N THT FDP2532

 
FDP2532
 
Артикул: 078127
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
262.19 грн
6+
190.69 грн
15+
180.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 48 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
56А(1479382)
Опір в стані провідності
14мОм(1441294)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
107нКл(1512597)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,003 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP2532
ONSEMI
Артикул: 078127
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
262.19 грн
6+
190.69 грн
15+
180.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 48 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
56А
Опір в стані провідності
14мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
107нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,003 g