Транзистори з каналом N THT FDP2614

 
FDP2614
 
Артикул: 532733
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39,3А; 260Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
355.22 грн
3+
319.54 грн
4+
252.93 грн
11+
238.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 82 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
39,3А(1898323)
Опір в стані провідності
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
260Вт(1701961)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
99нКл(1479393)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,98 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP2614
ONSEMI
Артикул: 532733
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39,3А; 260Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
355.22 грн
3+
319.54 грн
4+
252.93 грн
11+
238.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 82 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
39,3А
Опір в стані провідності
27мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
260Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
99нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,98 g