0 0 0
  8. FDP3632

Транзистори з каналом N THT FDP3632

 
FDP3632
 
ONSEMI
Артикул: 078128
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12А; 310Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
259.02 грн
3+
233.59 грн
6+
179.56 грн
16+
169.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
310Вт(1741906)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
110нКл(1479315)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,013 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP3632
ONSEMI
Артикул: 078128
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12А; 310Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
259.02 грн
3+
233.59 грн
6+
179.56 грн
16+
169.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
310Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
110нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,013 g