0 0 0
  8. FDP52N20

Транзистори з каналом N THT FDP52N20

 
FDP52N20
 
ONSEMI
Артикул: 078131
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
173.86 грн
9+
112.45 грн
25+
106.87 грн
500+
103.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
33А(1479307)
Опір в стані провідності
49мОм(1625136)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
357Вт(1740831)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
63нКл(1479469)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,018 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP52N20
ONSEMI
Артикул: 078131
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
173.86 грн
9+
112.45 грн
25+
106.87 грн
500+
103.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
33А
Опір в стані провідності
49мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
357Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
63нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,018 g