0 0 0
  8. FDP75N08A

Транзистори з каналом N THT FDP75N08A

 
FDP75N08A
 
ONSEMI
Артикул: 532736
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 47А; Idm: 300А; 137Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
172.06 грн
3+
153.74 грн
9+
118.69 грн
24+
111.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
47А(1479369)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
137Вт(1740759)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
104нКл(1744095)
Технологія
UniFET™(1632958) DMOS(1605573)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT FDP75N08A
ONSEMI
Артикул: 532736
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 47А; Idm: 300А; 137Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
172.06 грн
3+
153.74 грн
9+
118.69 грн
24+
111.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
47А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
137Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
104нКл
Технологія
UniFET™
Технологія
DMOS
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g