0 0 0
  8. FDPF2D3N10C

Транзистори з каналом N THT FDPF2D3N10C

 
FDPF2D3N10C
 
ONSEMI
Артикул: 532743
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 157А; Idm: 888А; 45Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
474.33 грн
3+
426.66 грн
4+
328.14 грн
9+
309.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
157А(1609934)
Опір в стані провідності
2,3мОм(1479289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
45Вт(1607948)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
152нКл(1743005)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
888А(1898322)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT FDPF2D3N10C
ONSEMI
Артикул: 532743
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 157А; Idm: 888А; 45Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
474.33 грн
3+
426.66 грн
4+
328.14 грн
9+
309.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
157А
Опір в стані провідності
2,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
45Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
152нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
888А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g