Транзистори багатоканальні FDS3890

 
FDS3890
 
Артикул: 532704
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
126.01 грн
10+
104.48 грн
14+
74.17 грн
37+
70.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
4,7А(1479142)
Опір в стані провідності
82мОм(1479274)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні FDS3890
ONSEMI
Артикул: 532704
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
126.01 грн
10+
104.48 грн
14+
74.17 грн
37+
70.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
4,7А
Опір в стані провідності
82мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
35нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g