0 0 0
  7. FDS4501H

Транзистори багатоканальні FDS4501H

 
FDS4501H
 
ONSEMI
Артикул: 532577
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-20В; 9,3/-5,6А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
63.01 грн
5+
52.16 грн
25+
39.24 грн
69+
37.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30/-20В(1643508)
Струм стока
(1996946)
Опір в стані провідності
80/29мОм(1898311)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21/27нКл(1898312)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
(1996947)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні FDS4501H
ONSEMI
Артикул: 532577
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-20В; 9,3/-5,6А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
63.01 грн
5+
52.16 грн
25+
39.24 грн
69+
37.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30/-20В
Струм стока
Опір в стані провідності
80/29мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21/27нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g