0 0 0
  8. FDS4685

Транзистори з каналом P SMD FDS4685

 
FDS4685
 
ONSEMI
Артикул: 140684
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.87 грн
10+
64.28 грн
21+
50.06 грн
56+
46.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1112 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-40В(1441467)
Струм стока
-8,2А(1492314)
Опір в стані провідності
42мОм(1478970)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,121 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDS4685
ONSEMI
Артикул: 140684
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.87 грн
10+
64.28 грн
21+
50.06 грн
56+
46.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1112 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-40В
Струм стока
-8,2А
Опір в стані провідності
42мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
27нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,121 g