0 0 0
  7. FDS4935BZ

Транзистори багатоканальні FDS4935BZ

 
FDS4935BZ
 
ONSEMI
Артикул: 000249
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
86.48 грн
5+
52.21 грн
25+
40.70 грн
69+
38.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1653 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-6,9А(1492462)
Опір в стані провідності
35мОм(1441501)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,133 g
 
Транзистори багатоканальні FDS4935BZ
ONSEMI
Артикул: 000249
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
86.48 грн
5+
52.21 грн
25+
40.70 грн
69+
38.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1653 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-6,9А
Опір в стані провідності
35мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
40нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,133 g