0 0 0
  8. FDS6673BZ

Транзистори з каналом P SMD FDS6673BZ

 
FDS6673BZ
 
ONSEMI
Артикул: 140687
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.41 грн
5+
62.93 грн
23+
44.10 грн
63+
41.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-14,5А(1492507)
Опір в стані провідності
12мОм(1441505)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,098 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDS6673BZ
ONSEMI
Артикул: 140687
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
87.41 грн
5+
62.93 грн
23+
44.10 грн
63+
41.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-14,5А
Опір в стані провідності
12мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
65нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,098 g