0 0 0
  8. FDS6675BZ

Транзистори з каналом P SMD FDS6675BZ

 
FDS6675BZ
 
ONSEMI
Артикул: 140688
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
48.23 грн
25+
46.57 грн
30+
34.57 грн
80+
32.66 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2373 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-11А(1479014)
Опір в стані провідності
21,8мОм(1633427)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,08 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDS6675BZ
ONSEMI
Артикул: 140688
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
48.23 грн
25+
46.57 грн
30+
34.57 грн
80+
32.66 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2373 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-11А
Опір в стані провідності
21,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
35нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,08 g