Транзистори з каналом P SMD FDS6679AZ

 
FDS6679AZ
 
Артикул: 140689
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.13 грн
5+
48.16 грн
25+
42.51 грн
26+
39.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1439 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-13А(1479000)
Опір в стані провідності
14,8мОм(1633428)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
96нКл(1609970)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,121 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDS6679AZ
ONSEMI
Артикул: 140689
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.13 грн
5+
48.16 грн
25+
42.51 грн
26+
39.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1439 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-13А
Опір в стані провідності
14,8мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
96нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,121 g