Транзистори багатоканальні FDS6875

 
FDS6875
 
Артикул: 000250
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -6А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
76.56 грн
5+
62.21 грн
20+
51.84 грн
53+
48.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1776 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-6А(1492315)
Опір в стані провідності
48мОм(1441527)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
31нКл(1479192)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,116 g
 
Транзистори багатоканальні FDS6875
ONSEMI
Артикул: 000250
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -6А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
76.56 грн
5+
62.21 грн
20+
51.84 грн
53+
48.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1776 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-6А
Опір в стані провідності
48мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
31нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,116 g