Транзистори багатоканальні FDS6911

 
FDS6911
 
Артикул: 532707
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7,5А; Idm: 20А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
95.30 грн
5+
77.03 грн
17+
58.77 грн
46+
55.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
7,5А(1441286)
Опір в стані провідності
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
logic level(1712724)
Заряд затвора
24нКл(1479143)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні FDS6911
ONSEMI
Артикул: 532707
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7,5А; Idm: 20А; 1,6Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
95.30 грн
5+
77.03 грн
17+
58.77 грн
46+
55.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
7,5А
Опір в стані провідності
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
logic level
Заряд затвора
24нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g