Транзистори багатоканальні FDS6930B

 
FDS6930B
 
Артикул: 000255
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,5А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
35.78 грн
25+
34.23 грн
39+
25.35 грн
107+
23.96 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2432 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
5,5А(1492307)
Опір в стані провідності
62мОм(1441261)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3,8нКл(1629831)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,106 g
 
Транзистори багатоканальні FDS6930B
ONSEMI
Артикул: 000255
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,5А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
35.78 грн
25+
34.23 грн
39+
25.35 грн
107+
23.96 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2432 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
5,5А
Опір в стані провідності
62мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3,8нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,106 g