0 0 0
  7. FDS8858CZ

Транзистори багатоканальні FDS8858CZ

 
FDS8858CZ
 
ONSEMI
Артикул: 532578
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 8,6/-7,3А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.06 грн
10+
54.88 грн
24+
42.33 грн
64+
40.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
(1996945)
Опір в стані провідності
28,8/24,3мОм(1898306)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
46/24нКл(1898307)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні FDS8858CZ
ONSEMI
Артикул: 532578
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 8,6/-7,3А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.06 грн
10+
54.88 грн
24+
42.33 грн
64+
40.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
Опір в стані провідності
28,8/24,3мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
46/24нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g