0 0 0
  8. FDS8876

Транзистори з каналом N SMD FDS8876

 
FDS8876
 
ONSEMI
Артикул: 532709
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; Idm: 91А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
33.85 грн
25+
29.71 грн
38+
26.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
12,5А(1441293)
Опір в стані провідності
14,1мОм(1898313)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
36нКл(1479151)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
91А(1823218)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDS8876
ONSEMI
Артикул: 532709
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; Idm: 91А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
33.85 грн
25+
29.71 грн
38+
26.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
12,5А
Опір в стані провідності
14,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
36нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
91А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g