Транзистори з каналом N SMD FDS8884

 
FDS8884
 
Артикул: 076094
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,5А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
35.61 грн
25+
29.96 грн
47+
20.71 грн
129+
19.92 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 603 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
8,5А(1479174)
Опір в стані провідності
32мОм(1441272)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,111 g
 
Транзистори з каналом N SMD FDS8884
ONSEMI
Артикул: 076094
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,5А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
35.61 грн
25+
29.96 грн
47+
20.71 грн
129+
19.92 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 603 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
8,5А
Опір в стані провідності
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,111 g