0 0 0
  8. FDS8896

Транзисторы с каналом N SMD FDS8896

 
FDS8896
 
ONSEMI
Артикул: 600705
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; Idm: 110А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
38.77 грн
25+
34.72 грн
34+
29.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
15А(1441590)
Опір в стані провідності
6мОм(1441530)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
67нКл(1643344)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
110А(1758590)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDS8896
ONSEMI
Артикул: 600705
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; Idm: 110А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
38.77 грн
25+
34.72 грн
34+
29.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
15А
Опір в стані провідності
6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
67нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
110А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g