Транзистори багатоканальні FDS89161

 
FDS89161
 
Артикул: 000260
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.79 грн
5+
92.74 грн
13+
80.38 грн
34+
75.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2346 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
2,7А(1492297)
Опір в стані провідності
176мОм(1713746)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
31Вт(1741805)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
4,1нКл(1633292)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,113 g
 
Транзистори багатоканальні FDS89161
ONSEMI
Артикул: 000260
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
102.79 грн
5+
92.74 грн
13+
80.38 грн
34+
75.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2346 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
2,7А
Опір в стані провідності
176мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
31Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
4,1нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,113 g