Транзистори багатоканальні FDS8949

 
FDS8949
 
Артикул: 000262
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
125.20 грн
5+
66.31 грн
20+
51.01 грн
54+
47.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 426 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
(1441388)
Опір в стані провідності
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,141 g
 
Транзистори багатоканальні FDS8949
ONSEMI
Артикул: 000262
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
125.20 грн
5+
66.31 грн
20+
51.01 грн
54+
47.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 426 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
Опір в стані провідності
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,141 g