0 0 0
  7. FDS8958A

Транзистори багатоканальні FDS8958A

 
FDS8958A
 
ONSEMI
Артикул: 000263
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 7/-5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.14 грн
5+
38.21 грн
25+
33.39 грн
34+
28.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1515 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
7/-5А(1596075)
Опір в стані провідності
40/80мОм(1596076)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
1,6Вт(1449364)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,139 g
 
Транзистори багатоканальні FDS8958A
ONSEMI
Артикул: 000263
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 7/-5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.14 грн
5+
38.21 грн
25+
33.39 грн
34+
28.81 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1515 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
7/-5А
Опір в стані провідності
40/80мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Технологія
PowerTrench®
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,139 g