0 0 0
  8. FDT458P

Транзистори з каналом P SMD FDT458P

 
FDT458P
 
ONSEMI
Артикул: 140694
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.42 грн
43+
23.84 грн
117+
22.25 грн
2000+
22.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1963 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-3,4А(1479073)
Опір в стані провідності
0,21Ом(1737419)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
3Вт(1487308)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
3,5нКл(1479135)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,153 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDT458P
ONSEMI
Артикул: 140694
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.42 грн
43+
23.84 грн
117+
22.25 грн
2000+
22.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1963 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-3,4А
Опір в стані провідності
0,21Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
3,5нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,153 g