0 0 0
  8. FDY100PZ

Транзистори з каналом P SMD FDY100PZ

 
FDY100PZ
 
ONSEMI
Артикул: 140697
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,35А; 0,625Вт; SOT523
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
33.06 грн
25+
19.55 грн
74+
13.69 грн
202+
12.95 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 2229 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-0,35А(1643123)
Опір в стані провідності
2,7Ом(1441572)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,625Вт(1742031)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,4нКл(1632948)
Технологія
PowerTrench®(1632936)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g
 
Транзистори з каналом P SMD FDY100PZ
ONSEMI
Артикул: 140697
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,35А; 0,625Вт; SOT523
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
33.06 грн
25+
19.55 грн
74+
13.69 грн
202+
12.95 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 1
Кількість: 2229 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-0,35А
Опір в стані провідності
2,7Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,625Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,4нКл
Технологія
PowerTrench®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g