Транзистори IGBT THT FGA60N65SMD

 
FGA60N65SMD
 
Артикул: 896578
Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 300Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
501.71 грн
3+
385.07 грн
8+
364.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
60А(1441121)
Струм колектора в імпульсі
180А(1441704)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
284нКл(1705290)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,264 g
 
Транзистори IGBT THT FGA60N65SMD
ONSEMI
Артикул: 896578
Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 300Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
501.71 грн
3+
385.07 грн
8+
364.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
60А
Струм колектора в імпульсі
180А
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
300Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
284нКл
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,264 g