0 0 0
  8. FQA13N80-F109

Транзистори з каналом N THT FQA13N80-F109

 
FQA13N80-F109
 
ONSEMI
Артикул: 524840
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 50,4А; 300Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
305.08 грн
5+
219.16 грн
13+
207.22 грн
450+
203.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 15 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
88нКл(1479485)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50,4А(1888001)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,25 g
 
Транзистори з каналом N THT FQA13N80-F109
ONSEMI
Артикул: 524840
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 50,4А; 300Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
305.08 грн
5+
219.16 грн
13+
207.22 грн
450+
203.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 15 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
88нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,25 g