Транзистори з каналом P THT FQA36P15

 
FQA36P15
 
Артикул: 1169115
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -25,5А; 294Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
317.03 грн
3+
285.17 грн
5+
242.95 грн
12+
230.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруга сток-джерело
-150В(1478961)
Струм стока
-25,5А(1643125)
Опір в стані провідності
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
294Вт(1741922)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
105нКл(1633312)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,14 g
 
Транзистори з каналом P THT FQA36P15
ONSEMI
Артикул: 1169115
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -25,5А; 294Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
317.03 грн
3+
285.17 грн
5+
242.95 грн
12+
230.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруга сток-джерело
-150В
Струм стока
-25,5А
Опір в стані провідності
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
294Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
105нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,14 g