0 0 0
  8. FQA70N10

Транзистори з каналом N THT FQA70N10

 
FQA70N10
 
ONSEMI
Артикул: 078146
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
221.92 грн
3+
199.81 грн
7+
152.42 грн
19+
144.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 120 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
49,5А(1634344)
Опір в стані провідності
23мОм(1441493)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
214Вт(1741760)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,165 g
 
Транзистори з каналом N THT FQA70N10
ONSEMI
Артикул: 078146
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 49,5А; 214Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
221.92 грн
3+
199.81 грн
7+
152.42 грн
19+
144.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 120 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
49,5А
Опір в стані провідності
23мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
214Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
11нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,165 g