0 0 0
  8. FQA8N100C

Транзистори з каналом N THT FQA8N100C

 
FQA8N100C
 
ONSEMI
Артикул: 390081
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 5А; 225Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
412.62 грн
3+
370.40 грн
4+
285.17 грн
10+
270.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруга сток-джерело
1кВ(1441405)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
1,45Ом(1617606)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
225Вт(1701919)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,22 g
 
Транзистори з каналом N THT FQA8N100C
ONSEMI
Артикул: 390081
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 5А; 225Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
412.62 грн
3+
370.40 грн
4+
285.17 грн
10+
270.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 29 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруга сток-джерело
1кВ
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
1,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
225Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 5,22 g