0 0 0
  8. FQB19N20LTM

Транзистори з каналом N SMD FQB19N20LTM

 
FQB19N20LTM
 
ONSEMI
Артикул: 076103
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
115.54 грн
5+
104.39 грн
13+
80.48 грн
35+
76.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 76 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
13,3А(1492320)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
140Вт(1740827)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
84А(1758593)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,7 g
 
Транзистори з каналом N SMD FQB19N20LTM
ONSEMI
Артикул: 076103
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
115.54 грн
5+
104.39 грн
13+
80.48 грн
35+
76.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 76 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
13,3А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
140Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
35нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
84А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,7 g