0 0 0
  8. FQB27P06TM

Транзистори з каналом P SMD FQB27P06TM

 
FQB27P06TM
 
ONSEMI
Артикул: 140702
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
123.03 грн
5+
109.45 грн
11+
99.06 грн
28+
93.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-19,1А(1643129)
Опір в стані провідності
70мОм(1441497)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
120Вт(1666572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
43нКл(1479408)
Технологія
QFET®(1600689)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,75 g
 
Транзистори з каналом P SMD FQB27P06TM
ONSEMI
Артикул: 140702
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
123.03 грн
5+
109.45 грн
11+
99.06 грн
28+
93.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-19,1А
Опір в стані провідності
70мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
120Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
43нКл
Технологія
QFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,75 g